大井 亮さん (M1) の研究成果が、Sensors and Materials誌に受理されました。論文題目は、「Optical, Electrical, and Scintillation Properties of Al-doped ZnO Films Synthesized Using Laser-assisted CVD」です。
ZnOは透明電極や紫外線発光素子への応用が期待される材料ですが、薄膜における欠陥制御やより高速なシンチレーション応答の探索が課題とされていました。大井さんは、石英ガラス基板上へAl添加ZnO薄膜の合成を行い、Al濃度が結晶構造や導電性、発光特性に与える影響を体系的に調べました。その結果、最適Al濃度（7.9 at%）において低いシート抵抗（2.5 Ω/sq）と紫外発光を達成するとともに、α線励起下で2.1 nsという非常に高速な蛍光寿命を示すことを明らかにしました。
Ryo Oi, A. Ito, Optical, Electrical, and Scintillation Properties of Al-doped ZnO Films Synthesized Using Laser-assisted CVD
Link to ScienceDirect Topics: transparent conductive oxide, chemical vapor deposition